비휘발성 메모리 소자의 구동방법THE DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 김국환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:39:34Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:39:34Z | - |
| dc.date.issued | 2008-08-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228121 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 관한 것이다.이러한 본 발명은 기판에 형성된 트렌치와 트렌치 상에 형성된 전하트랩영역과 전하트랩영역 상에 형성된 게이트 및 트렌치의 양측에 형성된 소오스와 드레인을 포함하는 RCAT구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서, 드레인측과 인접한 전하트랩영역에 전하를 포획하는 드레인측 전하포획단계 및 소오스측과 인접한 전하트랩영역에 전하를 포획하는 소오스측 전하포획단계를 포함한다.RCAT(Recessed Channel Array Transistor), 비휘발성 메모리, 충돌이온화(impact ionization) | - |
| dc.title | 비휘발성 메모리 소자의 구동방법 | - |
| dc.title.alternative | THE DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김국환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0012606 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0853964-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-02-07 | - |
| dc.date.registration | 2008-08-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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