DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 류승완 | ko |
dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:36:34Z | - |
dc.date.available | 2017-12-18T04:36:34Z | - |
dc.date.issued | 2008-02-15 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228008 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 비 휘발성 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비 휘발성 메모리는 기판 및 상기 기판 상에 형성되고, 일함수가 다른 둘 이상의 부유 게이트를 포함하는 게이트 구조체를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 더욱 넓은 메모리 마진을 확보하고, 저장시간과 소거동작에서의 특성을 향상시킬 수 있는 등의 효과가 있다. | - |
dc.title | 비 휘발성 메모리 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 류승완 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0083271 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0806087-0000 | - |
dc.date.application | 2006-08-31 | - |
dc.date.registration | 2008-02-15 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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