본 발명은 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀에 관한 것이다.본 발명에 의한 CMOS 이미지 센서의 픽셀 단위는, 제 1 포토다이오드가 포함된 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀에 있어서, 제 1 포토다이오드의 캐소드에 소스가 연결된 포토게이트 트랜지스터; 및 포토게이트 트랜지스터의 드레인에 캐소드가 연결된 제 2 포토다이오드를 더 구비하여, 포토게이트에 인가되는 양의 정전압(VPG)을 제어하여 제 1 포토다이오드의 캐패시턴스(CPD) 및 제 2 포토다이오드의 캐패시턴스(CPG)의 조합에 의한 비선형적인 인테그레이션 캐패시턴스(Cint)를 조절 가능하며, 포토게이트에 인가되는 양의 정전압(VPG)을 제어하여, 인테그레이션 캐패시턴스가(Cint)가 제 1 및 제 2 포토다이오드의 캐패시턴스의 합(CPD+CPG)에서 제 1 포토다이오드의 캐패시턴스(CPD)로 변하는 천이 전압 레벨(transition voltage level : VPG-VTH)인 포토게이트에 인가하는 전압(VPG)과 포토게이트의 문턱 전압(VTH)의 차이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.