본 발명에 의한 발진기 회로는 3-단자 소자(3-terminal device)로 이루어진 발진기 회로로, 발전기의 회로의 부성 컨덕턴스(negative conductance)가 보이는 단자에 터널링 다이오드(tunneling diode)가 연결된 것을 특징으로 한다.또한, 3-단자 소자로 이루어진 발진기 회로로, 발진기 회로는 부성 컨덕턴스가 발생하는 두 개의 단자를 갖는 차등 출력 발진기 회로이고, 부성 컨덕턴스가 발생하는 두 개의 단자는 각각 제 1 , 제 2 터널링 다이오드의 일 단과 연결되며, 제 1, 제 2 터널링 다이오드의 각 타 단은 바이어스 전압을 인가할 수 있게 연결된 것을 특징으로 한다.3-소자 단자(3-terminal device), HBT(heterojunction bipolar transistor), 터널링 다이오드(tunneling diode), RTD(resonant tunneling diode),인덕터(inductor), 전압 가변 커패시터(배렉터 : varactor), 발진기(oscillator), 부성 저항(negative resistance), 부성 컨덕턴스(negative conductance)