나노채널과 그 형성방법NANOCHANNEL AND FORMING METHOD THEREOF

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본 발명은 나노채널 및 그 형성방법에 관한 것이다.이러한 본 발명의 나노채널은 기판상에 형성된 절연막과, 상기 절연막상에 패터닝된 산화 기지막 및 상기 산화 기지막의 측벽에 형성된 산화막을 포함하고, 상기 절연막과 상기 산화막 사이에 빈 공간이 형성되어 있다.본 발명의 나노채널의 형성방법은 기판에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 산화 기지막을 형성하는 단계와, 상기 산화 기지막 상에 폴리머 패턴을 형성하는 단계와, 상기 폴리머 패턴을 마스크로 하여 상기 산화 기지막을 식각하는 단계와, 상기 폴리머 패턴을 제거하는 단계 및 상기 식각된 산화 기지막의 측벽을 산화하여 산화막과 상기 절연막으로 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면 대면적에 균일하게 나노채널을 형성할 수 있는 등의 효과가 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2007-02-13
Application Date
2006-05-19
Application Number
10-2006-0045115
Registration Date
2007-02-13
Registration Number
10-0684989-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/227930
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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