니켈 할로겐 화합물 분위기를 이용한 다결정 규소박막의제조방법Method for Fabricating polycrystalline silicon thinfilms using nickel halogen compound atmosphere

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 259
  • Download : 0
본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비정질 규소박막을 니켈 할로겐 화합물의 분위기에서 열처리함으로써 금속 오염을 최소화하면서 저온에서 경제적으로 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명의 다결정 규소박막의 제조방법은 종래 다결정 규소박막의 제조에 있어서, 기판 상의 비정질 규소박막 위에 산화막을 형성하는 단계, 산화막이 형성된 비정질 규소박막을 니켈 화합물 분위기에서 열처리하여 다결정 규소박막을 얻는 단계를 포함한다.본 발명에 의해 제조된 다결정 규소박막은 저온에서 결정화가 가능할 뿐 아니라, 결정입자가 크고 균일하다. 본 발명은 비정질 실리콘 표면에 산화막을 성장시켜 니켈 금속과 규소박막의 직접적인 접촉을 피하게 하고 또한 산화막 위에 니켈 금속을 증착 시키는 것 보다는 니켈 할로겐 화합물을 증착시켜 규소박막에 오염되는 니켈의 농도를 낮출 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2007-07-05
Application Date
2006-04-11
Application Number
10-2006-0032918
Registration Date
2007-07-05
Registration Number
10-0738659-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/227908
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0