고이동도 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터용 소스-드레인 전극 물질과 구리 확산 방지 특성에 대한 연구 = A study on source-drain electrode material for high-mobility oxide thin-film transistors and its copper diffusion barrier property

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dc.contributor.advisor박상희-
dc.contributor.advisorPark, Sang-Hee-
dc.contributor.author이광흠-
dc.contributor.authorLee, Kwang-Heum-
dc.date.accessioned2017-03-29T02:35:25Z-
dc.date.available2017-03-29T02:35:25Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=663400&flag=dissertationen_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/221579-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2016.8 ,[vi, 73 p. :]-
dc.description.abstract본 연구는 고이동도 산화물 반도체 기반 박막 트랜지스터의 금속 전극에 관한 것으로서, 향후 구리 배선을 적용을 염두한 구리 확산 방지 특성 또한 연관지어 다루고 있다. 이는 앞서 설명한 디스플레이의 고해상도화 및 대면적화에 필요한 해결 과제 중 알씨 딜레이 (RC delay) 부분과 관련되어 있다. 저저항 금속 배선 물질의 관점에서는, 비저항 특성 및 비용적 부분을 모두 고려하였을 때 구리를 사용하는 것이 가장 유리하다. 하지만, 구리의 경우 인접한 영역으로 확산되어 전파되고자 하는 경향이 매우 강한 것으로 알려져 있다. 따라서, 구리가 확산하여 인접한 박막에 영향을 미치는 것을 막아야 한다. 본 연구에서는 새로운 전극 물질의 구리 확산 방지 특성을 분석하고, 실제로 고이동도 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 적용하였을 때 공정 가능성 및 소자 특성 등에 대해 알아보았다. 이를 통해, 고이동도 산화물 반도체에서 신규 소스-드레인 조성 물질의 영향을 분석하고, 다른 소재들과 비교하였을 때 구리 확산 방지 특성을 알아보았다.-
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subject고이동도 산화물 반도체-
dc.subject구리-
dc.subject소스-드레인-
dc.subject확산 방지막-
dc.subject몰리브덴-알루미늄-티타늄-
dc.subjectHigh mobility Oxide TFT-
dc.subjectCopper-
dc.subjectSource-Drain-
dc.subjectDiffusion barrier-
dc.subjectMoAlTi-
dc.title고이동도 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터용 소스-드레인 전극 물질과 구리 확산 방지 특성에 대한 연구 = A study on source-drain electrode material for high-mobility oxide thin-film transistors and its copper diffusion barrier property-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN325007-
dc.description.department한국과학기술원 :신소재공학과,-
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MS-Theses_Master(석사논문)
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