DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 이귀로 | - |
dc.contributor.author | 여인석 | - |
dc.contributor.author | 윤규한 | - |
dc.contributor.author | 김병석 | - |
dc.contributor.author | 최민성 | - |
dc.contributor.author | 김병식 | - |
dc.date.accessioned | 2011-01-10T01:23:07Z | - |
dc.date.available | 2011-01-10T01:23:07Z | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.issued | 1987-07 | - |
dc.identifier.citation | 대한전자공학회 학술대회, v.9, no.5, pp.436 - 438 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/21500 | - |
dc.description | 본 논문은 국책사업인 4Mbit DRAM project의 일환으로 이루어진 것임. | en |
dc.language | KOR | - |
dc.language.iso | ko | en |
dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
dc.title | Mega Bit DRAM Capacitor를 위한 무결함 박막 SiO2 | - |
dc.title.alternative | Defect Free Thin SiO2 Thermally Grown On Silicon For Mega Bit DRAM Capacitor | - |
dc.type | Conference | - |
dc.type.rims | CONF | - |
dc.citation.volume | 9 | - |
dc.citation.issue | 5 | - |
dc.citation.beginningpage | 436 | - |
dc.citation.endingpage | 438 | - |
dc.citation.publicationname | 대한전자공학회 학술대회 | - |
dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
dc.contributor.localauthor | 이귀로 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 여인석 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 윤규한 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김병석 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 최민성 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김병식 | - |
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