금속산화물의 광열화학반응을 이용한 박막트랜지스터 가공 리페어 공정에 관한 연구

Abstract

디스플레이 분야는 현대 산업에 있어서 매우 중요한 분야로, 앞으로는 그 중요성이 더 커질 것으로 예상된다. 현재 이러한 디스플레이의 제조에 사용되는 공정은 포토리소그래피 공정으로, 다른 공정에 비해 우수한 공정이기는 하나 여전히 그 단점이 존재한다. 그 중 수율에 의한 소재의 폐기는 오랫동안 겪어온 문제로, 공정자체로의 개선을 통하여 그 문제를 해결하려는 노력에 더불어 리페어 공정을 통한 수율의 개선이 이뤄지고 있다. 이러한 수율의 개선에 있어서 기존의 리페어 공정 대비 우수한 특성을 가지는 공정을 개발하고자 본 논문에서는 네 가지의 새롭게 제안하는 방법을 통하여 그 특성을 개선하고자 하였다. 첫 번째는 보관중에 안정한 전도성 전구체 나노입자의 개발이다. 이는 음압숙성을 이용하여 나노입자의 합성 시 발생하는 응집현상을 해결하고 안정하게 분산하는 것을 말한다. 두 번째는 다층도포가 가능한 소규모 코팅장비의 개발이다. 이는 기존의 슬롯다이를 개량에 만든 자체 거리검출형 잉크도포장비이다. 세번째와 네번째는 마랑고니 유동을 제어하여 공정한 전극과 트랜지스터 생성공정이다. 용매에 따라 변하는 마랑고니 유동을 이용하여 전극의 생성 및 이를 이용한 단일공정 트랜지스터 제작을 수행하였다. 이와 더불어 기존의 리페어 공정이라 할 수 있는 불필요한 불순물의 제거 공정에 있어서, 재료의 열적 물성에 따른 표면특성을 연구하고 이를 개선할 수 있는 방법에 대하여 제안하였다. 이러한 연구들을 바탕으로 기존의 공정대비 리페어 공정의 산업적 개선효과를 기대해 본다.