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Analysis of magnetic tunnel junction-based spin-torque oscillator using NEGF-LLGS calculation = NEGF-LLGS 계산을 통한 자기터널접합 기반 스핀 발진소자의 분석link Noh, Seongcheol; 노성철; et al, 한국과학기술원, 2016 |
Device characteristics of nanoscale metal/insulator tunnel transistors in the ballistic quantum transport regime Shin, Mincheol, DIFFUSION AND DEFECT DATA PT.B: SOLID STATE PHENOMENA, v.121-123, no.PART 1, pp.525 - 528, 2007 |
Quantum mechanical calculation of hole tunneling gate leakage current in nanoscale pMOSFETs = P형 모스펫에서의 홀 터널링에 의한 게이트 누설전류의 양자역학적 시뮬레이션link Park, Ki-Hoon; 박기훈; et al, 한국과학기술원, 2013 |
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