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1.3 μm)를 버퍼로 이용하는 HEMT 구조에서의 광전자 소자 집적에 관한 연구 = InGaAsP(λglink 차정호; Cha, Jung-Ho; et al, 한국과학기술원, 2006 |
Monolithic integration of InP-Based HEMT and MSM photodiode using InGaAsP (lambda=1.3 mu m) buffer Cha, JH; Kim, JH; Kim, CY; Shin, SH; Kwon, Young Se, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v.44, no.4B, pp.2549 - 2552, 2005 |
Silicon nitride two-level-temperature passivation on InP/InGaAsP light-emitting diodes Kim, Jacho; Cha, Jung-Ho; Kwon, Young Se, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v.45, no.11, pp.8648 - 8649, 2006 |
광변조기 응용을 위한 $In_{1-x}Ga_xAs_yP_{1-y}$/InGaAsP Quantum Well 물질의 흡수 스펙트럼과 무질서화 공정에 관한 연구 = Study on the absorption spectrum and the disordering process of $In_{1-x}Ga_xAs_yP_{1-y}$/InGaAsP Quantum Well material for electro-absorption modulator applicationlink 임지연; Lim, Ji-Youn; et al, 한국과학기술원, 1997 |
측면 반사기와 마이크로렌즈를 갖는 InGaAsP/InP 발광다이오드 = InGaAsP/InP light-emitting diode with sidewall reflector and microlenslink 김재호; Kim, Jae-Ho; et al, 한국과학기술원, 2007 |
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