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Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Subject 플래시 메모리

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1
3차원 소자 응용을 위한 이중블록공중합체로 합성된 나노결정을 갖는 수직형 플래시 메모리 = Vertical flash memory with nanocrystals synthesized by diblock copolymer for 3-D device applicationslink

김청진; Kim, Chung-jin; et al, 한국과학기술원, 2008

2
3차원 플래시 메모리를 위한 폴리실리콘 채널과 터널 산화막 간의 계면 연구 = Research on interface between channel Poly-Si and tunnel oxide for 3D flash memorylink

김승윤; Kim, Seungyoon; et al, 한국과학기술원, 2015

3
(A) flash memory cell model for circuit simulation = 회로 시뮬레이션을 위한 플래시 메모리 셀 모델link

Kang, Yong-Hoon; 강용훈; et al, 한국과학기술원, 2005

4
Low-frequency noise in gate-all-around SONOS junctionless transistor for flash memory application = 전면 게이트 정션리스 트랜지스터 기반 전하 트랩 형 플래시 메모리에서의 저주파 잡음 특성에 대한 연구link

Jeong, Uisik; 정의식; et al, 한국과학기술원, 2015

5
MNFS : A multimedia non-linear editing file system for PRAM-NAND flash memory = MNFS : PRAM-NAND 플래시 메모리를 위한 멀티미디어 편집 가능한 파일 시스템link

Ko, Sung-Ahn; 고성안; et al, 한국과학기술원, 2008

6
On joint source-channel coding with action-dependent side information and development of the error correction code using a 2-stage coding system = 액션-의존 보조 정보 시스템의 조인트 소스-채널 코딩과 2-단계 코딩 시스템을 이용한 오류 정정 부호 개발link

Ahn, Jungsik; 안정식; et al, 한국과학기술원, 2014

7
Photo-induced flash memory with hybrid integration of an organic fullerene-derivative and an inorganic nanogap embedded field-effect-transistor for low-voltage operation = 유기물 풀러렌 유도체와 무기물 나노갭이 이종 삽입된 전계 효과 트랜지스터 기반의 저전압 동작이 가능한 광유기 플래시 메모리link

Kim, Chung-Jin; 김청진; et al, 한국과학기술원, 2012

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