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Development of flash memory using high-k dielectrics by the improvement of charge trap layer and blocking oxide layer and its theory = 고유전막을 이용한 전하포획막과 차단산화막의 향상을 이용한 플래쉬 메모리 개발 및 그 이론link Park, Young-Min; 박영민; et al, 한국과학기술원, 2011 |
Flash memory utilizing discrete charge storage node for universal memory = 이산적 전하 저장소가 삽입된 플래시 메모리 및 Universal 메모리로의 응용link Ryu, Seong-Wan; 류승완; et al, 한국과학기술원, 2009 |
Writing to dirty flash memory = 멀티레벨 플래쉬 메모리 재사용에 관한 이론적 한계link Kim, Min-Gyu; 김민규; et al, 한국과학기술원, 2009 |
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