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Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 신성원

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1
Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2

신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

2
Flash memory 소자에서 Anti-Ferroelectric 물질을 이용한 capacitance 부스팅

신성원; 신의중; 조병진, 대한전자공학회 2021년도 하계종합학술대회, 대한전자공학회, 2021-06-30

3
Leakage current Improvement of Anti-ferroelectric capacitor with Bottom electrode annealing

이승환; 김성호; 안현준; 김태호; 신성원; 조병진, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

4
Reliability Improvement of Charge Trap Flash Memory Cell with Sealing Oxide in Fluorine Incorporation

이승환; 이태윤; 안현준; 이태인; 신의중; 신성원; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14

5
Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack

이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

6
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조

이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15

7
광대역 선형 주파수 변조기의 제작 = Implementation of wideband linear FM generatorlink

신성원; Shin, Seong-Won; et al, 한국과학기술원, 1988

8
반강유전성 하프늄 지르코늄 산화막 적용을 통한 전하 트랩 메모리의 동작 효율성 개선 = Enhancement of operation efficiency by using anti-ferroelectric $HfZrO_2$ layer in charge trap memorylink

신성원; 조병진; et al, 한국과학기술원, 2020

9
수은 증감 광화학기상증착법에 의한 미결정 실리콘과 에피 실리콘 박막의 제작과 특성 = Preparation and characteristics of microcrystalline Si:H and epitaxial Si deposited by mercury sensitized photo chemical vapor depositionlink

신성원; Shin, Sung-Won; et al, 한국과학기술원, 1995

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