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Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 서준범

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1
A Simulation Study on Tunneling Electroresistance Effect in Ferroelectric Tunnel Junction

서준범; 신민철; 김문회, 제 25회 한국반도체학술대회, (사)한국반도체연구조합, 2018-02-07

2
Atomistic modeling and simulation study for the ferroelectric-based electronic devices = 강유전체 기반 전자 소자의 원자 수준 모델링 및 시뮬레이션 연구link

Seo, Junbeom; Shin, Mincheol; et al, 한국과학기술원, 2021

3
effects of Ferroelectric Thickness on Negative Capacitance FET Inverters

서준범; 이재현; 신민철, 제22회 한국반도체학술대회, 삼성전자, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2015-02-11

4
Effects of the Gate Offset on Performance of Double-Gate negative Capacitance Field-Effect Transistors

이현구; 서준범; 신민철, 제27회 한국반도체학술대회, pp.563, 제27회 한국반도체학술대회, 2020-02-14

5
Negative capacitance logic device, clock generator including the same and method of operating clock generator

신민철; 이재현; 강두형; 서준범; 정우진, 2016-11-01

6
New Non-volatile Multi-level Cell Using Epitaxial Strain Effect and Double Ferroelectric Tunnel Junctions

신민철; 서준범; 김문회, 제25회 한국반도체학술대회, (사)한국반도체연구조합, 2018-02-07

7
Performance of Black Phosphorus Tunnel FETs under Uniaxial Strain: First-principle Study

정성우; 신민철; 서준범, 제 24회 반도체 학술대회, 제 24회 반도체 학술대회, 2017-02-15

8
Quantum transport simulation study of negative capacitance FETs based on the Landau theory and its applications = Landau 이론 기반 NCFET 소자의 양자 수송 전산모사를 통한 소자 특성 연구와 응용link

Seo, Junbeom; 서준범; et al, 한국과학기술원, 2016

9
Simulation Study of Double-Gate Tunnel Dielectric-based Tunnel FET

박상천; 서준범; 정우진; 신민철, 제23회 반도체 학술대회, 성균관대학교,한국반도체산업협회,한국반도체연구조합, 2016-02-23

10
Tunneling electroresistance Effect Enhanced by Polar Interface in Hafnia-based Ferroelectric Tunnel Junction

서준범; 신민철, 제27회 한국반도체학술대회, 제27회 한국반도체학술대회, 2020-02-13

11
터널링 전계 효과 트랜지스터 및 이를 포함하는 반도체 장치(TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME)

신민철; 임영준; 서준범

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