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CCl4를 사용하여 베이스를 탄소도핑한 AlGaAs/GaAs HBT의 제작 및 특성 손정환; 김동욱; 홍성철; 권영세, 전자공학회논문지, v.30, no.12, pp.1031 - 1039, 1993-12 |
Characteristics of Area-Variable Varactor Diode 홍성철; 김동욱; 권영세, 제 3회 한국반도체 학술대회, pp.99 - 100, 1996 |
Electrical and optical properties of area-variable varactor diode and GaAs MESFET with Bragg-reflector buffer = 면적변환 가변용량 다이오우드와 Bragg 반사기 버퍼를 가지는 갈륨비소 MESFET의 전기 및 광특성link Kim, Dong-Wook; 김동욱; et al, 한국과학기술원, 1996 |
Full-wave analysis of microstrip structures by time-domain finite difference(TDFD) method = 시간 영역 유한 차분법을 이용한 마이크로스트립 구조의 풀-웨이브 해석link Kim, Dong-Wook; 김동욱; Lee, Kwy-Ro; Hong, Seong-Cheol; et al, 한국과학기술원, 1992 |
Selective and Thick Oxide Technology for Microwave Applications 김동욱; 남충모; 권영세, 정보와통신, v.17, no.12, pp.19 - 26, 2000-12 |
면적변환가변용량다이오드 김동욱; 손정환; 홍성철; 권영세 |
시간 영역 유한 차분법을 이용한 마이크로스트립 구조의 풀-웨이브 해석 김동욱; 홍성철; 이귀로, 전자공학회논문지 A, v.29, no.7, pp.554 - 561, 1992-07 |
초고주파용 전계효과 트랜지스터 회로의 게이트단자파형 왜곡 제어회로 전계익; 백재명; 김동욱; 홍성철 |
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