Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 곽동화
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| Analysis of Dielectric Properties of the Interfacial Layers in Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt Structures 이희철; 이승훈; 곽동화; 장병탁; 차선용; 유병곤; 백종태, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICY, v.33, no.8, pp.132 - 137, 1996-08 |
| (Ba,Sr)TiO3 박막의 전기적 특성 평가 장병탁; 곽동화; 이희철, 요업기술, v.11, no.3, pp.162 - 170, 1996-08 |
| Ba0.7, Sr0.3, Tio3 박막 커패시터의 마이크로파 측정. 장병탁; 차선용; 이승훈; 곽동화; 이희철; 유병곤; 백종태; et al, 전자공학회논문지 A, v.33, no.2, pp.114 - 121, 1996 |
| Ba0.7Sr0.3TiO3 박막 커패시커의 마이크로파 측정 장병탁; 차선용; 이승훈; 곽동화; 이희철; 유병곤; 백종태; et al, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICY, v.33, no.2, pp.114 - 121, 1996-01 |
| Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt 구조의 계면층 유전특성 분석 이승훈; 곽동화; 장병탁; 차선용; 이희철; 유병곤; 백종태, 전자공학회논문지 A, v.33, no.8, pp.132 - 137, 1996-08 |
| Calulation of Trap Densities between BST/Pt Interface from Capacitance-Voltage Characteristics and Rapid Thermal Annealing Fttect for DRAM Application 이희철; 곽동화; 장병탁; 차선용, 제 4회 한국반도체 학술대회, pp.0 - 0, 1997-02-01 |
| Electrical characterization of interface property in Pt/(Ba, Sr)$TiO_3$/Pt structure for DRAM storage capacitor = DRAM 저장용 캐패시터를 위한 Pt/(Ba,Sr)$TiO_3$/Pt 구조에서의 계면의 전기적 특성 평가link Kwak, Dong-Hwa; 곽동화; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| GaAs 및 AlGaAs 완충층을 이용한 GaAs MESFET 제작 이희철; 곽동화, 대한전자공학회 논문지, v.31, no.12, pp.1654 - 1659, 1994-10 |
| Ir Thin Film as a Bottom Electrode for High Dielectic (Ba,Sr)TiO3 Capacitor 이희철; 차선용; 장병탁; 곽동화, 제 4회 한국반도체 학술대회, pp.0 - 0, 1997-02-01 |
| 광반사율을 이용한 GaAs:Si의 띠 간격측정 이희철; 이철; 이남영; 김재은; 박해용; 곽동화, 새물리, v.34, no.5, pp.562 - 566, 1994-10 |
| 분자선 박막 성장법을 이용한 GaAs 박막 형성과 GaAs MESFET 제작 = Growth of GaAs film using molecular beam epitaxy and GaAs MESFET fabricationlink 곽동화; Kwak, Dong-Hwa; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 분자선 박막성장법에 의한 고성능 GaAs MESFET 이희철; 곽동화, 대한전자공학회 학술발표회, pp.186 - 190, 1993 |
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