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Multilevel resistive switching memory based on graphene oxide embedded with $MoS_2$ = 그래핀 옥사이드 박막 내 $MoS_2$를 삽입한 다중저항변화 메모리 소자link Shin, Gwang Hyuk; 신광혁; et al, 한국과학기술원, 2016 |
그래핀 옥사이드 기반의 유연 저항변화 메모리 소자와 동작원리 = Flexible resistive switching memory based on graphene oxide and switching mechanismlink 홍슬기; Hong, Seul-Ki; et al, 한국과학기술원, 2011 |
그래핀 옥사이드 기반의 유연 저항변화 메모리 소자와 동작원리 = Flexible resistive switching memory based on graphene oxide and switching mechanismlink 홍슬기; Hong, Seul-Ki; et al, 한국과학기술원, 2011 |
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