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3μm gate length 를 갖는 GaAs MESFET 제작 = Fabrication of GaAs MESFET with a 3μm gate lengthlink 이윤종; Lee, Yoon-Jong; et al, 한국과학기술원, 1986 |
Two dimensional device simulation and characterization of GaAs floated electron channel field effect transistor = 갈륨비소 부동전자채널 전계효과 트랜지스터의 2차원 소자 시뮬레이션 및 특성분석link Lee, Yoon-Jong; 이윤종; et al, 한국과학기술원, 1994 |
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