Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 이윤희
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| 3차원 플래쉬 메모리의 이동도 향상을 위한 산화물 반도체 채널 도입 이윤희; 신의중; 이태인; 오승현; 조성행; 주찬종; 이재덕; et al, 제 30회 한국반도체학술대회, SK하이닉스, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2023-02-14 |
| Channel Mobility Boosting through Ge profile and grain size engineering in a Ge-diffused Poly-Si channel for 3D V-NAND Flash Memory 이태인; 이윤희; 신의중; 김민주; 이정훈; 이재덕; 조병진, 제29회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2022-01-26 |
| Demonstration of NAND flash erase characteristics using oxide semiconductor channel = 산화물 반도체 채널을 적용한 낸드 플래시의 이레이즈 특성 구현link Lee, Yun Hee; 이윤희; et al, 한국과학기술원, 2023 |
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Open Access
- 573 OA Article
Date issued
- 5,219 2020 - 2024
- 18,942 2010 - 2019
- 15,019 2000 - 2009
- 7,644 1990 - 1999
- 2,391 1980 - 1989