학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 2014.2, [ Ⅵ, 163 p. ]
charge trap type flash memory; 정션리스; 초기 문턱전압 불안정 현상; 게이트 전극; 전하차단막; 전하포획막; high-κ dielectrics; charge trap layer; blocking oxide; gate electrode; polysilicon channel; junctionless; transient threshold voltage shift; 전하포획형 플래쉬 메모리; 고유전막; 데이터 보존 특성; 신뢰도
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