DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 이정용 | - |
dc.contributor.advisor | Lee, Jeong-Yong | - |
dc.contributor.author | 김대운 | - |
dc.contributor.author | Kim, Dae-Woon | - |
dc.date.accessioned | 2013-09-12T04:45:44Z | - |
dc.date.available | 2013-09-12T04:45:44Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=515082&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/181997 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2013.2, [ v, 60 p. ] | - |
dc.description.abstract | 이 연구의 목표는 Sb가 도핑된 GeTe 박막의 결정화 거동과 미세구조 분석이다. Sb-doped GeTe 박막은 Si 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 GeTe와 Sb 타겟을 이용한 co-sputtering 방법으로 증착하였다. 결정화 특성과 미세구조 분석은 AES, DSC, XRD 그리고 TEM을 활용하였다. Sb(10W, 20W)-doped GeTe 박막의 결정화 온도는 각각 257, 267℃이고, 녹는점은 670, 550℃로 측정되었다. Sb 도핑 케이스에서 둘 모두 결정화 온도는 도핑하지 않았을 때보다 상승하였으며 녹는점은 하락하였다. Sb(10W)-doped GeTe 박막의 경우 400℃에서 GeTe hexagonal 구조와 FCC 구조가 같이 나타났다. 둘 간의 orientation relationship은 [2-201]GeTe_hex // [01-1]GeTe_FCC, (-1012)GeTe_hex // (200)GeTe_FCC으로 계산되었다. Sb(20W)-doped GeTe 박막의 경우에는 300℃에서부터 GeTe FCC 구조가 나타났으며 400℃에서는 GST hexagonal 구조가 나타났다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | 상변화메모리 | - |
dc.subject | 스퍼터링법 | - |
dc.subject | PRAM | - |
dc.subject | RF magnetron sputtering | - |
dc.subject | GST | - |
dc.subject | GeTe | - |
dc.subject | 미세구조분석 | - |
dc.title | RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 Sb-doped GeTe 박막의 미세구조 분석 | - |
dc.title.alternative | Microstructural analysis of sb-doped gete thin films deposited by rf magnetron sputtering | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 515082/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 신소재공학과, | - |
dc.identifier.uid | 020113069 | - |
dc.contributor.localauthor | 이정용 | - |
dc.contributor.localauthor | Lee, Jeong-Yong | - |
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