RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 Sb-doped GeTe 박막의 미세구조 분석Microstructural analysis of sb-doped gete thin films deposited by rf magnetron sputtering

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dc.contributor.advisor이정용-
dc.contributor.advisorLee, Jeong-Yong-
dc.contributor.author김대운-
dc.contributor.authorKim, Dae-Woon-
dc.date.accessioned2013-09-12T04:45:44Z-
dc.date.available2013-09-12T04:45:44Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=515082&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/181997-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2013.2, [ v, 60 p. ]-
dc.description.abstract이 연구의 목표는 Sb가 도핑된 GeTe 박막의 결정화 거동과 미세구조 분석이다. Sb-doped GeTe 박막은 Si 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 GeTe와 Sb 타겟을 이용한 co-sputtering 방법으로 증착하였다. 결정화 특성과 미세구조 분석은 AES, DSC, XRD 그리고 TEM을 활용하였다. Sb(10W, 20W)-doped GeTe 박막의 결정화 온도는 각각 257, 267℃이고, 녹는점은 670, 550℃로 측정되었다. Sb 도핑 케이스에서 둘 모두 결정화 온도는 도핑하지 않았을 때보다 상승하였으며 녹는점은 하락하였다. Sb(10W)-doped GeTe 박막의 경우 400℃에서 GeTe hexagonal 구조와 FCC 구조가 같이 나타났다. 둘 간의 orientation relationship은 [2-201]GeTe_hex // [01-1]GeTe_FCC, (-1012)GeTe_hex // (200)GeTe_FCC으로 계산되었다. Sb(20W)-doped GeTe 박막의 경우에는 300℃에서부터 GeTe FCC 구조가 나타났으며 400℃에서는 GST hexagonal 구조가 나타났다.kor
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subject상변화메모리-
dc.subject스퍼터링법-
dc.subjectPRAM-
dc.subjectRF magnetron sputtering-
dc.subjectGST-
dc.subjectGeTe-
dc.subject미세구조분석-
dc.titleRF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 Sb-doped GeTe 박막의 미세구조 분석-
dc.title.alternativeMicrostructural analysis of sb-doped gete thin films deposited by rf magnetron sputtering-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN515082/325007 -
dc.description.department한국과학기술원 : 신소재공학과, -
dc.identifier.uid020113069-
dc.contributor.localauthor이정용-
dc.contributor.localauthorLee, Jeong-Yong-
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MS-Theses_Master(석사논문)
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