기상유도결정화법과 급속열처리를 이용한 다결정 Si 박막에서의 Ni 금속 오염량 감소 및 다결정 Si 박막 트랜지스터 특성에 관한 연구Control of Ni contamination in polycrystalline Si films by vapor-induced crystallization and rapid thermal annealing process and characterization of polycrystalline Si thin film transistors
- Advisors
- 안병태researcher; Ahn, Byung-Tae
- Description
- 한국과학기술원 : 신소재공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2013
- Identifier
- 515083/325007 / 020113152
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2013.2, [ vii, 80 p. ]
- Keywords
기상유도결정화; 급속열처리; vapor induced crystallization; rapid thermal annealing; thin film transistor; 박막 트랜지스터
- Appears in Collection
- MS-Theses_Master(석사논문)
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