Modeling of silicon nanowire MOSFETs using the Multi-subband Monte Carlo Method다중 서브밴드 몬테카를로 방법을 이용한 실리콘 나노와이어 전계효과 트랜지스터 모델링
- Advisors
- Mincheol Shinresearcher; 신민철
- Description
- 한국과학기술원 : 정보통신공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2011
- Identifier
- 482662/325007 / 020065253
- Language
- eng
- Description
학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 정보통신공학과, 2011.8, [ xii, 111 p. ]
- Keywords
Low-field Electron Mobility; Multi-subband Monte Carlo; Silicon Nanowire MOSFETs; Phonon and Surface Roughness Scatterings; 다중 서브밴드 몬테카를로; 저전계 전자 이동도; 실리콘 나노와이어 모스팻; 포논(phonon)산란과 SRS(surface roughness scatterings); k??p 방법; k??p method
- Appears in Collection
- ICE-Theses_Ph.D.(박사논문)
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