전자기술을 위한 그래핀 합성과 전사 공정 연구A study on graphene synthesis and advanced transfer method for electronics

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dc.contributor.advisor조병진-
dc.contributor.advisorCho, Byung-Jin-
dc.contributor.author김택용-
dc.contributor.authorKim, Taek-Yong-
dc.date.accessioned2013-09-12T02:02:33Z-
dc.date.available2013-09-12T02:02:33Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=513266&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/181039-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 2013.2, [ viii, 58 p. ]-
dc.description.abstractsp2 결합으로 이루어진 단원자층의 탄소인 그래핀은 그것이 가진 놀라운 성질로 차세대 전자산업에 유망한 물질로 각광받고 있다. 이러한 그래핀을 이용한 전자산업이 현실화 되기 위해서는 그래핀의 생산이 반드시 개발되어야 한다. 이에 화학기상증착법을 통한 그래핀 형성이 고품질, 대면적의 그래핀을 얻을 수 있다는 점에서 가장 상용화에 가까운 방법으로 알려져있다. 하지만 이러한 방법도 고온공정, 촉매금속의 불완벽함, 불가피한 전사공정 등으로 인한 걸림돌들로 인해 상용화에 어려움을 겪고 있다. 이에 본 논문에서는 유도결합플라즈마를 이용한 화학기상증착법을 통해 비교적 저온에서 고품질의 그래핀을 대면적으로 성장한 것을 보이고 촉매 금속으로 널리 쓰이는 구리의 결정립계가 그래핀에 미치는 영향과 개선법, 기존의 그래핀에 물리 화학적 손상을 발생시키는 전사공정에서 별도의 구리의 식각 없어 재활용 가능한 전사 공정법에 대해 다루도록 하겠다.kor
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subject그래핀-
dc.subject유도결합플라즈마 화학기상증착법-
dc.subject결정립계-
dc.subjectGraphene-
dc.subjectICP-CVD-
dc.subjectGrain Boundary-
dc.subjectTransfer Process-
dc.subject전사 공정-
dc.title전자기술을 위한 그래핀 합성과 전사 공정 연구-
dc.title.alternativeA study on graphene synthesis and advanced transfer method for electronics-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN513266/325007 -
dc.description.department한국과학기술원 : 전기및전자공학과, -
dc.identifier.uid020113177-
dc.contributor.localauthor조병진-
dc.contributor.localauthorCho, Byung-Jin-
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EE-Theses_Master(석사논문)
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