서로 다른 High-k 박막에 대해서 TMA 전처리에 따른 Ge/High-k 게이트 구조에서의 계면의 특성과 히스테리시스에 대한 연구Study on interface quality and hysteresis of Ge/High-k gate stack with TMA pretreatment for different High-k dielectrics
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 이석희 | - |
| dc.contributor.advisor | Lee, Seok-Hee | - |
| dc.contributor.author | 이재진 | - |
| dc.contributor.author | Lee, Jae-Jin | - |
| dc.date.accessioned | 2013-09-12T01:58:17Z | - |
| dc.date.available | 2013-09-12T01:58:17Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=486833&flag=dissertation | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/180843 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2012.2, [ vii, 56 p. ] | - |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.subject | 하이케이 | - |
| dc.subject | 게르마늄 | - |
| dc.subject | 계면 패시베이션 | - |
| dc.subject | High-k | - |
| dc.subject | Germanium | - |
| dc.subject | interface passivation | - |
| dc.subject | TMA pretreatment | - |
| dc.subject | TMA 전처리 | - |
| dc.title | 서로 다른 High-k 박막에 대해서 TMA 전처리에 따른 Ge/High-k 게이트 구조에서의 계면의 특성과 히스테리시스에 대한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Study on interface quality and hysteresis of Ge/High-k gate stack with TMA pretreatment for different High-k dielectrics | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 486833/325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, | - |
| dc.identifier.uid | 020103493 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이석희 | - |
| dc.contributor.localauthor | Lee, Seok-Hee | - |
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- EE-Theses_Master(석사논문)
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