서로 다른 High-k 박막에 대해서 TMA 전처리에 따른 Ge/High-k 게이트 구조에서의 계면의 특성과 히스테리시스에 대한 연구 = Study on interface quality and hysteresis of Ge/High-k gate stack with TMA pretreatment for different High-k dielectrics

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 335
  • Download : 0
Advisors
이석희researcherLee, Seok-Hee
Description
한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2012
Identifier
486833/325007  / 020103493
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2012.2, [ vii, 56 p. ]

Keywords

하이케이; 게르마늄; 계면 패시베이션; High-k; Germanium; interface passivation; TMA pretreatment; TMA 전처리

URI
http://hdl.handle.net/10203/180843
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=486833&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0