Browse "Dept. of Materials Science and Engineering(신소재공학과)" bySubject화학기상증착법

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1
3-D Packaging 용 Through-Si Via/Trench의 충진에 관한 연구 = Filling of through-Si Via/Trench for 3-D packaginglink

김창규; Kim, Chang-Gyu; et al, 한국과학기술원, 2012

2
AlN 압전 박막의 우선 배향성 및 표면 탄성파 특성에 미치는 기판 효과에 관한 연구 = Substrate effects on the preferred orientation and surface acoustic wave characteristics of AlN piezoelectric filmslink

서주원; Soh, Ju-Won; et al, 한국과학기술원, 1997

3
Bottom-up fill of submicron features in catalyst-enhanced chemical vapor deposition of copper = 촉매처리에 의한 Cu CECVD의 Bottom-up fill 현상에 관한 연구link

Shim, Kew-Chan; 심규찬; et al, 한국과학기술원, 2001

4
ECR-PECVD PZT 박막의 FRAM 소자로의 응용에 관한 연구 = The study on the applicaions to FRAM with PZT thin film fabricated by ECR-PECVDlink

정수옥; Chung, Su-Ock; 이원종; 천성순; et al, 한국과학기술원, 2000

5
FRAM 소자 응용을 위한 ECR PECVD PZT 커패시터 특성에 미치는 전극의 영향 = Effect of electrodes on the characteristics of ECR PECVD PZT capacitors for the application to FRAM deviceslink

이희철; Lee, Hee-Chul; et al, 한국과학기술원, 2002

6
Growth of tailored carbon nanotube arrays via block copolymer lithography = 블록 공중합체 리소그래피를 이용한 맞춤형 탄소나노튜브 어레이의 성장에 관한 연구link

Lee, Duck-Hyun; 이덕현; et al, 한국과학기술원, 2010

7
Kinetic model for cavity filling in CECVD of copper = 촉매 처리에 의한 구리 CECVD의 cavity filling 현상에 관한 모델link

Lee, Hyun-Bae; 이현배; et al, 한국과학기술원, 2005

8
구리 CECVD를 이용한 3-D packaging용 through-Si via/trench filling에 대한 연구 = Through-Si via/trench filling for 3-D packaging by copper catalyst-enhanced chemical vapor depositionlink

이도선; Lee, Do-Seon; et al, 한국과학기술원, 2009

9
반응성 CVD를 이용한 다결정 실리콘 기판에서의 $CoSi_2$ layer의 성장거동과 열적 안정성에 관한 연구 = Growth behavior and thermal stability of $CoSi_2$ layer on poly-Si substrate using reactive chemical vapor depositionlink

김선일; Kim, Sun-Il; et al, 한국과학기술원, 2001

10
화학기상증착법으로 제조된 다결정 다이아몬드 박막의 전기적 특성 = Electrical properties of chemical vapor deposited polycrystalline diamond thin filmslink

이범주; Lee, Bum-Joo; et al, 한국과학기술원, 1999

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