전자빔 조사를 이용한 SiO2 절연체 표면 개질 및 고성능 유기 막박 트랜지스터 제조

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dc.contributor.author이혁무-
dc.contributor.author김재준-
dc.contributor.author조성오-
dc.date.accessioned2013-08-22T05:35:07Z-
dc.date.available2013-08-22T05:35:07Z-
dc.date.created2013-07-23-
dc.date.issued2010-11-04-
dc.identifier.citation한국방사선산업학회 2010년 학술발표대회, v., no., pp. --
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/176301-
dc.languageKOR-
dc.publisher한국방사선산업학회-
dc.title전자빔 조사를 이용한 SiO2 절연체 표면 개질 및 고성능 유기 막박 트랜지스터 제조-
dc.typeConference-
dc.type.rimsCONF-
dc.citation.publicationname한국방사선산업학회 2010년 학술발표대회-
dc.identifier.conferencecountrySouth Korea-
dc.contributor.localauthor조성오-
dc.contributor.nonIdAuthor이혁무-
dc.contributor.nonIdAuthor김재준-
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NE-Conference Papers(학술회의논문)
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