Graded-IrO2 Diffusion Barrier를 사용한 (Ba,Sr)TiO3 커패시터용 하부 전극 구조
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | - |
| dc.contributor.author | 차선용 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-16T21:05:31Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-16T21:05:31Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | 제 7회 한국반도체 학술대회, v., no., pp.341 - 342 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/135856 | - |
| dc.language | KOR | - |
| dc.title | Graded-IrO2 Diffusion Barrier를 사용한 (Ba,Sr)TiO3 커패시터용 하부 전극 구조 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.beginningpage | 341 | - |
| dc.citation.endingpage | 342 | - |
| dc.citation.publicationname | 제 7회 한국반도체 학술대회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 차선용 | - |
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- EE-Conference Papers(학술회의논문)
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