Crystallization at Low temperature of BST Thin Films prepared by LSMCVD

Abstract

LSMCVD 방법을 이용해서, Ba(dpm)2와 Sr(dpm)2, 그리고 TTIP를 1-butanol에 용해 시킨 전구 용액으로 Pt/SiO2/Si 기판 위에 BST 박막을 증착했다. 박막은 650℃에서 (110)방향성이 우세한 perovskite 구조를 갖고 균일한 표면을 보였으며, 그 이상의 온도는 결정성에 영향이 없었다. 유전상수는 240, tan 는 0.39 (각각 0V, 100kHz 기준), 그리고 누설전류밀도는 2.5×10-5A/cm2(1.5V기준)의 값을 보였다.