인듐 확산에 의해 제작된 HgCdTe 다이오드의 전기적 특성
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | - |
| dc.contributor.author | 박승만 | - |
| dc.contributor.author | 김재묵 | - |
| dc.contributor.author | 김충기 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-15T02:36:07Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-15T02:36:07Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1995 | - |
| dc.identifier.citation | 제 6회 HgCdTe 반도체 Conference, v., no., pp.49 - 56 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/115777 | - |
| dc.language | KOR | - |
| dc.title | 인듐 확산에 의해 제작된 HgCdTe 다이오드의 전기적 특성 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.beginningpage | 49 | - |
| dc.citation.endingpage | 56 | - |
| dc.citation.publicationname | 제 6회 HgCdTe 반도체 Conference | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.localauthor | 김충기 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박승만 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김재묵 | - |
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