전기화학적 식각에 의한 다공성 실리콘 층에서의 기공구조Pore Structure in Porous Silicon Layer Prepared by Electrochemical Etching

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전기화학적 방법에 의하여 제조한 다공성 실리콘층의 기공 크기 분포에 영향을 미치는 공정 조건을 찾기 위한 연구를 수행하였다. 다공성 실리콘층을 p형 실리콘 웨이퍼에 형성시켰을 경우 직경이 100Å보다 작은 미세기공들이 네트워크를 이루었으며 전기화학적 방법에 의하여 n형 실리콘 위에 형성한 기공을 화학식각 후처리를 함으로써 기공 직경을 1000Å까지 증가시킬 수 있었다.
Issue Date
1994-12-01
Language
ENG
Citation

pp.223 - 224

URI
http://hdl.handle.net/10203/115173
Appears in Collection
CBE-Conference Papers(학술회의논문)
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