SIlicon Direct Bonding(SDB) SOI nMOS 트랜지스터의 기생채널에 의한 누설전류 특성

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dc.contributor.author강상원-
dc.date.accessioned2013-03-14T22:22:01Z-
dc.date.available2013-03-14T22:22:01Z-
dc.date.created2012-02-06-
dc.date.issued1992-
dc.identifier.citation한국전자공학회, 합동학술발표회 논문집 제10호, 제1권, v., no., pp.189 --
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/113963-
dc.languageKOR-
dc.titleSIlicon Direct Bonding(SDB) SOI nMOS 트랜지스터의 기생채널에 의한 누설전류 특성-
dc.typeConference-
dc.type.rimsCONF-
dc.citation.beginningpage189-
dc.citation.publicationname한국전자공학회, 합동학술발표회 논문집 제10호, 제1권-
dc.identifier.conferencecountrySouth Korea-
dc.contributor.localauthor강상원-
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MS-Conference Papers(학술회의논문)
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