플라즈마 양극 산화법에 의한 Al2O3/InP 게이트 절연막을 가진 InP MISFET의 제작

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 362
  • Download : 0
Issue Date
1982
Language
KOR
Citation

대한전기학회 하계 학술회의

URI
http://hdl.handle.net/10203/111895
Appears in Collection
EE-Conference Papers(학술회의논문)
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0