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Fabrication and characteristics of phase change memory based on block copolymer lithography = 블록공중합체 리소그래피를 이용한 상변화 메모리의 제작 및 특성분석link Yoon, Jong-Moon; 윤종문; et al, 한국과학기술원, 2012 |
Layer-by-Layer Growth of GeSbTe Thin Films by Metal-Organic CVD for Phase Change Memory Applications Kim, Ran-Young; Kim, Ho Gi; Park, Kyoung-Woo; Ahn, Jun-Ku; Yoon, Soon-Gil, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, v.15, no.10-12, pp.296 - 299, 2009-12 |
RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 Sb-doped GeTe 박막의 미세구조 분석 = Microstructural analysis of sb-doped gete thin films deposited by rf magnetron sputteringlink 김대운; Kim, Dae-Woon; et al, 한국과학기술원, 2013 |
상변화메모리 응용을 위한 $(InSb)_{2}Te_{3}$ 칼코게나이드 화합물의 상변화특성 연구 = Phase Change Characteristics of $(InSb)_{2}Te_{3}$ Chalcogenide Alloys for Application in Phase Change Memorylink 윤재진; Yun, Jae-Jin; et al, 한국과학기술원, 2011 |
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