Browse by Subject 하프늄 옥사이드
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| First-principles study of defect properties of Si impurities in $HfO_2$ = $HfO_2$에 Si 불순물의 결함특성에 대한 제일 원리 연구link Kim, Dae-Yeon; 김대연; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 원자층증착법에 의한 $HfO_2$ 게이트절연막의 성장과 플라즈마처리에 의한 질화에 관한 연구 = Study on $HfO_2$ gate dielectric grown by atomic layer deposition and its nitridation by plasma treatmentlink 박건식; Park, Kun-Sik; et al, 한국과학기술원, 2011 |
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Open Access
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- 100,009 2010 - 2019
- 75,681 2000 - 2009
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- 62 1964 - 1969