Browse by Subject 곡선 맞춤▼a공핍 상태▼a기생 성분▼a꼬리 전류▼a무선 충전▼a전자파 장해▼a질화갈륨 고 전자 이동도 트랜지스터▼a푸리에 변환▼a풀-브리지 인버터
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| High frequency GaN HEMT modeling based on datasheet and measurement, and application to analysis of EMI from inverter = 질화갈륨 고 전자이동도 트랜지스터의 고주파 모델링과 이를 이용한 대전력 인버터에서의 전자파 잡음 현상에 대한 분석link Park, Kae-Young; Kim, Joungho; et al, 한국과학기술원, 2018 |
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