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1
A study on device characteristics of non-volatile memory with Ge doped Sb-Te phase change materials = Ge 첨가된 Sb-Te계 상변화 재료를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 특성에 관한 연구link

Zhe Wu; Wu, Zhe; et al, 한국과학기술원, 2011

2
A transmission electron microscopy study on the microstructural properties of Te-based chalcogenide thin films = Te 계 칼코게나이드 박막의 미세구조 특성에 관한 투과전자현미경 연구link

Sun, Chang-Woo; 선창우; et al, 한국과학기술원, 2010

3
Adaptive page grouping for energy efficiency in hybrid PRAM-DRAM main memory = 에너지 효율 향상을 위한 하이브리드 PRAM-DRAM 메인 메모리에서의 적응적 페이지 그룹화 기법link

Shin, Dong-Jae; 신동재; et al, 한국과학기술원, 2012

4
Atomic force microscope 를 이용한 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 상변화 거동 및 전기적 특성평가 = The estimation of the phase change behavior and electrical property of $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films using atomic force microscopelink

노기민; Roh, Ki-Min; et al, 한국과학기술원, 2005

5
DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착한 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 결정화 거동 및 전기적 특성 평가 = The estimation of the crystalline behavior and electrical property of nominal-composition $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films prepared by dc-magnetron sputteringlink

김현정; Kim, Hyun-Jung; et al, 한국과학기술원, 2005

6
Design and implementation of NAND flash file system and main memory using phase-change random access memory (PRAM) = 상변화 메모리를 이용한 낸드 파일 시스템 및 메인 메모리의 설계 및 구현link

Park, Young-Woo; 박영우; et al, 한국과학기술원, 2010

7
Fabrication and characteristics of phase change memory based on block copolymer lithography = 블록공중합체 리소그래피를 이용한 상변화 메모리의 제작 및 특성분석link

Yoon, Jong-Moon; 윤종문; et al, 한국과학기술원, 2012

8
Fabrication and characterization of flexible memory and drug delivery device for wearable healthcare system = 웨어러블 헬스케어 시스템을 위한 유연 메모리와 약물전달 소자 제작 및 특성평가link

Mun, Beom-ho; 문범호; et al, 한국과학기술원, 2016

9
Fabrication and characterization of phase change compound materials for nonvolatile PC-RAM device = 비휘발성 상변화 메모리소자용 화합물의 제조 및 특성평가에 관한 연구link

Kim, Myung-Sun; 김명선; et al, 한국과학기술원, 2006

10
Integrated management method of non-volatile memory with a DRAM buffer for lifetime and performance improvement = 비휘발성 메모리의 수명 및 성능 향상을 위한 DRAM 버퍼를 활용한 통합 관리 기법에 관한 연구link

Park, Sung-Kyu; 박성규; et al, 한국과학기술원, 2014

11
Logarithmic resistance-to-digital converter for multi-level cell phase change memory readout = 멀티레벨 상변화 메모리의 readout을 위한 로그 저항-디지털 변환기link

Kwon, Ji-Wook; 권지욱; et al, 한국과학기술원, 2016

12
Performance enhancement of next-generation nonvolatile memories using self-organized nanopatterning = 자가 나노패터닝을 이용한 차세대 비휘발성 메모리 성능 향상link

You, Byoung Kuk; 유병국; et al, 한국과학기술원, 2017

13
Pulsed Laser Deposition법으로 증착한 Indium이 도핑 된 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 특성평가 = Characterization of indium doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films by pulsed laser depositionlink

김경선; Kim, Kyoung-Sun; et al, 한국과학기술원, 2006

14
Study on the crystallization mechanism and microstructural characterization of In-Sb-Te Thin films using transmission electron Microscopy = 투과전자현미경을 이용한 In-Sb-Te 박막의 결정화 메커니즘과 미세구조 특성에 관한 연구link

Kim, Chung-Soo; 김청수; et al, 한국과학기술원, 2012

15
다양한 블록공중합체 자기조립 나노기술을 적용한 상변화 메모리의 전력 감소 및 그 특성 평가 = Power reduction of phase change memory using various block copolymer self-assembly nanotechnology and characterization for the samelink

유병국; You, Byoungkuk; et al, 한국과학기술원, 2013

16
블록공중합체 자기조립 기술을 이용한 저전력 상변화 메모리 제작 및 특성 평가 = Fabrication and characterization of low power phase change memories using block copolymer self-assembly technologylink

문범호; Mun, Beom-Ho; et al, 한국과학기술원, 2012

17
스퍼터링 방법으로 증착된 Sb-Se-Te 박막의 결정화에 관한 투과전자현미경 연구 = A transmission electron microscopy study on the crystallization of sb-se-te thin films deposited by sputtering methodlink

윤종문; Yoon, Jong-moon; et al, 한국과학기술원, 2008

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