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a-Si:H 박막에 강한 전장이 걸릴 때 Ⅰ-Ⅴ 특성과 그 응용 = High-field Ⅰ-Ⅴ characteristics of a-Si:H films and their applicationslink 배병성; Bae, Byung-Seong; et al, 한국과학기술원, 1986 |
비정질 실리콘 전계효과 트랜지스터에서 안정성에 관한 연구 배병성; 허준; 최광수; 이주천, 새물리, v.28, no.1, pp.185 - 191, 1988-02 |
비정질 실리콘 전계효과 트랜지스터의 열처리 효과 배병성; 이창우; 유병수; 이충훈; 이주천, 새물리, v.30, no.1, pp.86 - 90, 1990-02 |
비정질 실리콘 TFT의 준 언정성 특성에대한 새로운 평가방법 황치선; 공향식; 배병성; 이주천, 새물리, v.8, no.4, pp.356 - 360, 1995-07 |
수소화된 비정질 실리콘 전계효과 트랜지스터의 특성 변화 = Characteristics of hydrogenated amorphous silicon field effect transistorlink 배병성; Bae, Byung-Seong; et al, 한국과학기술원, 1991 |
플라즈마 증착 방법에 의한 수소화된 비정질질화규소 박막의 특성연구 이창우; 김서윤; 배병성; 이주천, 응용물리, v.4, no.2, pp.217 - 224, 1991-05 |
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