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First-principles study of boron-related defects in $SiO_2$ and boron segregation at the $Si/SiO_2$ interface = Bulk $SiO_2$ 내에서의 붕소결함과 $Si/SiO_2$ 계면에서의 붕소응집에 관한 제일원리 연구link Hwang, Jin-Heui; 황진희; et al, 한국과학기술원, 2011 |
Schottky barrier height at TiN/HfO2 interface and B segregation mechanism at Si/SiO2 interface = TiN/HfO2 계면의 쇼트키 장벽과 Si/SiO2 계면의 붕소 확산 메카니즘 연구link Oh, Young Jun; 오영준; et al, 한국과학기술원, 2015 |
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