N-doped ZnO 박막의 미세 구조 특성 Nano-structural Characteristics of N-doped ZnO Thin Films

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본 연구에서는 C-축 우선 배향 특성을 가지는 N-doped ZnO 박막을 증착하고 그 미세구조의 특성을 분석 비교하였다. ZnO 박막은 N2O 가스 분위기에서 RF reactive magnetron sputtering 시스템을 사용하여 p-Si(100) 웨이퍼 위에 증착되었다. N2O 가스는 N doping source로 사용되었으며, 전체 가스 유량에 대한 N2O 가스의 비율 N2O/(N2O+Ar)과 증착 전력을 증착의 주요 공정 변수로 선택하여 다양한 가스 비율과 증착 전력에 대한 박막의 미세 구조 특성을 비교 분석하였다. 특히, Auger electron spectroscopy (AES)를 이용하여 ZnO 박막 내에 들어가 존재하는 불순물 N의 수직분포를 분석하였고, 여러 가지 증착 조건에서 제작된 ZnO 박막의 표면형상 및 미세구조 특성을 Scanning Electron Microscope (SEM)를 이용하여 분석하였다.
Publisher
한국정보통신학회
Issue Date
2009-11
Language
Korean
Citation

한국정보통신학회논문지, v.13, no.11, pp.2385 - 2390

ISSN
2234-4772
URI
http://hdl.handle.net/10203/93365
Appears in Collection
EE-Journal Papers(저널논문)
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