소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAMA Low Power SRAM Using Elevated Source Level Memory Cells
SRAM에서 쓰기 전력을 줄이기 위하여 소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM을 제안하였다. 메모리 셀의 소스 전압을 GND에서 VT로 올리고 비트라인과 데이터버스의 프리차지 전압을 VDD에서 VDD-VT로 낮춤으로써 비트라인과 데이터버스의 스윙 전압을 줄였다. 이것은 면적의 증가와 속도 감소 없이 SRAM의 쓰기 전력을 크게 줄여준다. 8K×32비트의 SRAM이 0.25um CMOS 공정으로 제작되었다. 제작된 SRAM은 2.5V 전원과 300MHz 동작 주파수에서 쓰기 동작의 소모전력을 45% 줄였고, 최대 동작 주파수는 330MHz였다.
- Publisher
- 대한전자공학회
- Issue Date
- 2004-08
- Language
- Korean
- Citation
전자공학회논문지 - SD, v.41, no.08, pp.705 - 710
- ISSN
- 1229-6368
- Appears in Collection
- EE-Journal Papers(저널논문)
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