2 GHz 대역 RF 대역통과 필터 응용을 위한 AlN 압전 박막을 이용한 FBAR 소자 FBAR Device with Thin AlN Piezoelectric Film for 2 GHz RF Bandpass Filter Applications

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본 논문에서는 2GHz 대역 RF 대역통과 필터 응용을 위한 FBAR 소자에 대한 연구를 발표한다. 본 연구의 FBAR 소자는 크게 상부 및 하부 전극 사이에 압전체(AlN)가 삽입되어 있는 공진부와 SiO2/W 이 여러층으로 적층되어 있는 음향반사층 두 부분으로 구성되어 있다. RF sputtering 방법으로 증착된 AlN 박막은 c축이 기판에 수직한 정도가 우수한 c축 우선 배향성을 갖는다. 이때 결정립(grain)은 길고 얇은 주상형(columnar)을 보인다. 뿐만아니라, 우수한 품질계수(4300)와 반사손실(37.19 dB)도 얻어졌다.
Publisher
한국정보통신학회
Issue Date
2003-03
Language
Korean
Citation

한국정보통신학회논문지, v.7, no.2, pp.250 - 254

ISSN
2234-4772
URI
http://hdl.handle.net/10203/78354
Appears in Collection
EE-Journal Papers(저널논문)
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