인 도핑 다결정 실리콘 산화막의 전기적 특성에 관한 연구
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 윤형섭 | ko |
| dc.contributor.author | 강상원 | ko |
| dc.contributor.author | 박신종 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-02-25T09:54:24Z | - |
| dc.date.available | 2013-02-25T09:54:24Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1986-11 | - |
| dc.identifier.citation | 전자공학회지, v.23, no.6, pp.814 - 819 | - |
| dc.identifier.issn | 1057-7130 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/61326 | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | 인 도핑 다결정 실리콘 산화막의 전기적 특성에 관한 연구 | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 23 | - |
| dc.citation.issue | 6 | - |
| dc.citation.beginningpage | 814 | - |
| dc.citation.endingpage | 819 | - |
| dc.citation.publicationname | 전자공학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 강상원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤형섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박신종 | - |
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