C-밴드 GaAs MESFET 발진기의 광 응답 특성

Abstract

본 논문에서는 GaAs MESFET 발진기의 광 응답 특성을 조사하기 위하여, C-밴드 발진기를 설계 제작하여 광을 입사시킨 경우 발진기의 응답 변화를 나타내었다. 발진기에 DC광을 입사하므로서 본 실험의 두 가지 응용, 즉 발진 주파수 변이 및 광 스위칭 실험을 수행하였다. 발진기에 1(mW/mm2)의 광을 입사하였을때, 발진 주파수는 약 1(%) 정도 감소하였고 발진기 출력 및 효율을 약간 증가하였다. 출력에 있어서의 이러한 증가는 약 1~3 (dBm)정도로 나타났다. 이러한 결과로부터 DC광을 입사한 경우의 발진기 응답에 의해 마이크로파 소자의 광 민감도(Light Sensitivity)에 대한 정보를 알 수 있으며, 한편 Pulse광에 대한 발진기의 과도 응답으로 부터는 상세한 광-전기 상호 작용 관계를 해석할 수 있다. 이와 같이 GaAs반도체 화합물이 지니는 여러 성질 중에서 광 효과를 이용함으로써 광에 의하여 마이크로파 소자를 직접 제어할 수 있음을 입증하였다.