고선택비 산화막 식각을 위한 시간 변조된 유도 결합 $CF_4/H_2$ 플라즈마에 대한 이론적 연구 = Theoretical investigation on time modulated, inductively coupled $CF_4/H_2$ plasma discharges for highly selective oxide etching

고선택비 산화막 식각을 위해, 시간 변조된 유도 결합 $CF_4$/$H_2$ 플라즈마에 대한 0차원 모델링을 통하여 이론적인 연구를 수행하였다. 펄스 폭, 펄스 duty ratio, $H_2$의 조성비, 압력, 입력 RF 파워 등의 공정 변수들을 변화 시켜가며, C/F비와 활성종과 이온의 밀도 변화를 시뮬레이션하였다. 입력 RF 파워를 시간 변조하여 전자의 온도를 낮춤으로써, $CF_4$/$H_2$플라즈마에서 보다 높은 C/F의 비를 얻을 수 있었다. 본 결과는 공정변수에 따른 선택비를 측정한 여타의 실험들과 경향이 일치하였다.
Advisors
장충석researcherChang, Choong-Seockresearcher
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2000
Identifier
158087/325007 / 000983565
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2000.2, [ iii, 54 p. ]

URI
http://hdl.handle.net/10203/48539
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=158087&flag=t
Appears in Collection
PH-Theses_Master(석사논문)
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