비정질 Si-Ni 의 전기 전도 현상 = Transport properties of amorphous silicon-nickel alloys

비정질 Si-Ni alloy는 하나의 e-gun crucible에 Si과 Ni을 올려놓고 증착하는 방법과 e-gun과 Tungsten basket을 사용한 Coevaporation 방법에 의해 얻어졌다. 제작된 시료의 optical gap과 온도에 따른 전기 전도도가 측정되었는데 Ni이 증가함에 따라 상온에서의 전기 전도도는 증가 했으나 보다 높은 온도에서 activated process에 의한 전기 전도가 일어났고 optical gap과 Hopping parameter $T_o$는 감소했으며 Fermi level의 깊이는 얕아졌다. 이들 data에서 Ni이 들어가면 Fermi level의 localized state가 증가하면 상온에서 전기 전도도가 상승했다는 결론을 얻었다. 이들 시료를 Hydrogenation해주면 전기 전도도는 감소했고 optical gap은 증가했다.
Advisors
이주천researcherLee, Choo-Chonresearcher
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
1980
Identifier
62627/325007 / 000781183
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 1980.2, [ [ii], 41 p. ]

URI
http://hdl.handle.net/10203/47962
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=62627&flag=t
Appears in Collection
PH-Theses_Master(석사논문)
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