DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 이주천 | - |
dc.contributor.advisor | Lee, Choo-Chon | - |
dc.contributor.author | 이재민 | - |
dc.contributor.author | Lee, Jay-Min | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-14T07:46:18Z | - |
dc.date.available | 2011-12-14T07:46:18Z | - |
dc.date.issued | 1979 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=62390&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/47930 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 1979.2, [ [iii], 47 p. ] | - |
dc.description.abstract | 비정질반도체 실리콘의 전기전도를 측정하기 위하여, 고진공증착에 의하여 얻은 박막의 시료를 사용하였다. 진공증착시 온도는 290K 에서 570K 까지로 변화시키고 증착속도는 $4 \mbox{\AA}/\sec$ 보다 작게 하였다. 시료는 제작후 진공 열처리 (anneal), oxidation, hydrogenation 등의 처리를 통하여 시료의 전기적 성질이 변함을 측정하고, 이는 전기전도의 온도 의존성으로 설명되었다. 여기서 비교적 높은 온도에서 $1\mbox{\AA}/\sec$ 정도의 느린 증착 속도로 제작된 시료는 상온이상의 온도에서 전기전도의 singly activated process 를 보였고, Fermi 준위의 깊이도 0.58eV 정도였으며, 빠른 속도로 증착된 시료보다 전기전도도가 매우 낮았다. 그리고 높은 온도로 진공 열처리를 하므로도 전기전도는 낮아지고 Fermi 준위의 깊이는 깊어졌다. 그러나 $400\,^\circ\!C$의 anneal 에서는 Fermi 준위의 깊이가 얕아졌다. 또한 oxidation 이 된 시료에서는 band gap 의 localized states 를 효과적으로 감소시킬 수 없는데 반하여, hydrogenation 에 의하여는 이 점에 효과적이었기 때문에, 다른 우수한 시료들과 같이 높은 activation energy를 갖는 전기전도가 일어났다. 그리고 저온부에서 일어나는 hopping mechanism 이 관찰되었으며, 그 결과는 이론적인 model 을 통하여 고찰되었다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.title | 비정질실리콘의 전기전도에서 시료처리효과 | - |
dc.title.alternative | Effect of sample treatments on trasnport in amorphous silicon | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 62390/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 물리학과, | - |
dc.identifier.uid | 000771108 | - |
dc.contributor.localauthor | 이재민 | - |
dc.contributor.localauthor | Lee, Jay-Min | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.