Energy distribution of ions accelerated through a rf plasma sheath and its effect on Si etching mechanism in chlorine and fluorocarbon gasesrF 플라즈마 sheath를 지나 가속된 ion들의 에너지 분포함수 특성과 chlorine 및 fluorocarbon 가스들을 이용한 Si 에칭에 미치는 효과에 대한 연구
- Description
- 한국과학기술원 : 물리학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2000
- Identifier
- 162730/325007 / 000965290
- Language
- eng
- Description
학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2000.8, [ ix, 99 p. ]
- Appears in Collection
- PH-Theses_Ph.D.(박사논문)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.